中企宣布芯片技術突破，或將成行業領導者，美國可受不了這刺激

在全球NAND市場中，美日韓是主要玩家，三星電子、鎧俠、西部數據、SK海力士主導了主要市場。這塊市場入局門檻高，對核心技術，產業整合能力有非常大的要求。

而中國企業長江存儲也在快速入局，并完成了232層3D NAND閃存生產。這是怎樣的技術產品呢？存儲產業會有怎樣的變局？

長江存儲完成232 層 3D NAND 閃存生產

在智慧型手機，電腦等消費電子性能逐步提高的當下，對于存儲芯片提出了更高的要求。一般來說，存儲芯片主要分為NAND和DRAM，其中NAND是非易失性存儲技術，而DRAM是動態隨機存取內存。

這兩大存儲芯片都有不同的市場格局，就拿NAND來說，全球市場份額分布集中，被美日韓三國主導。

根據2021年第一季度全球NAND市場份額來看，三星占據33.5%的市場份額，位居世界第一，鎧俠、西部數據、SK海力士、美光位居第二和第五，市占比分別是18.7%、14.7%、12/3%、11.1%。

再往下就是英特爾和其它品牌瓜分剩余的市場了，整體來看，NAND行業被主要頭部玩家瓜分，因為該行業對人才、技術、資源以及財力等方面都提出很高的要求，所以哪怕有再多的品牌，也只能位居二三線。

甚至新入局的廠商想要脫穎而出都顯得十分困難。不過中國企業長江存儲正在快速入局，且宣布芯片技術突破，或將成為行業領導者。

有機構對長江存儲的固態硬盤進行拆解，發現其中的閃存顆粒采用了232 層的 3D NAND 結構。這是怎樣的技術產品呢？

要知道行業內的閃存技術能做到128層就已經不錯了，過去五年里三星，SK海力士等巨頭從64層NAND推進到128層，再往前一步就是朝著200層以上努力。

美國存儲芯片巨頭美光科技是第一個提出要生產232層結構的廠商，但業內遲遲沒有傳出美光突破的消息，而讓人沒想到的是，長江存儲完成了232層3D NAND閃存的生產。

這項技術產品可以帶來更大的容量和數據穩定性，并且在采用了3D堆疊技術后，NAND閃存的可靠性有了進一步的提升。

2D工藝只能在平面上增加面積，相當于蓋一棟房子不是上下堆疊，而是向著前后左右。2D的弊端會讓閃存面積不斷增加，最終無法與設備兼容適配。

而3D NAND閃存才是行業的趨勢，一線巨頭都在做3D NAND，且推出了各自的技術，比如三星的V-NAND，東芝的BiCS，長江存儲的技術則是Xtacking。

長江存儲這項技術會把存儲陣列與外圍電路進行區分，再用垂直互聯通道進行連接。通俗點講，就是在兩顆晶圓上獨立制造兩種電路，再進行拼接，這樣集成的性能會更加出色，與其它廠商的單一集成方式形成鮮明對比。

或許正是因為這種獨特的生產技術，讓長江存儲率先切入200層以上的3D NAND。

全球一線的NAND行業巨頭都是老牌廠商了，美光科技成立于1978年，三星在三十年前就成為了全球第一的存儲芯片巨頭。而中國的長江存儲僅成立于2016年，就資歷來說，長江存儲屬于后起之秀。

因為在競爭激烈的NAND行業中，主要的市場份額依舊掌握在老牌廠商中。

但長江存儲正在努力提升技術優勢，不斷將產品堆疊層數，有了232層3D NAND作為行業敲門磚，相信存儲產業會迎來全新的變局。在NAND領域從「other」逐步擁有自己的名字。

實際上長江存儲走到這一步，經歷了很多艱辛。公司成立一年后，也就是 2017年，長江存儲辛苦研制出32層NAND，這個水平放在當時，如果沒有三星的64 層 NAND進行對比的話，也許還能大放異彩。

而消費者既然有了更好的選擇，市場競爭的結果自然會傾向于技術領先者。所以長江存儲的32層NAND并沒有激起太大的風浪，但長江存儲并沒有止步于此，2019年時長江存儲再次宣布實現64層NAND閃存量產，此后又繞開了96層來到了128層，于2020年宣布研制成功。

到了今年，長江存儲更是放出了王炸，做出了行業首個232層NAND閃存。如果不是美國對其特殊關注，蘋果公司或許早就采用長江存儲的NAND閃存產品了。越是如此，就越要繼續干，奮勇向前。

隨著這次的232層NAND閃存破冰，估計美國可受不了這刺激。

海外存儲芯片廠商的產品固然領先，但技術掌握在他們手中，市場定價權也由賣方說了算。過去一根8GB的內存條都得800元，有了國產提供選擇之后，市場會逐步變成買方說了算。期待長江存儲能腳踏實地，取得更大的進步。