事關國產沉浸式光刻機,消息正式發布!外媒:提前了?

芯片能够一直向微缩方向前进,5nm工艺量产后,还能继续向3 nm、2 nm发展,光刻机功不可没。尤其是EUV光刻机,更是高端制程芯片制程中最关键的核心设备。

可以说,光刻机决定了芯片工艺的技术水平。我们要在芯片上不被卡脖子,就必须突破光刻机。其实,相关机构也一直在努力,近日又传来了国产沉浸式光刻机消息。

光刻机按光源来分,主要有极紫外EUV、深紫外DUV和紫外UV三类,基本就是高端、中端和低端。低端的i线和g线等光刻机我们已经实现国产,高端EUV也在努力。

目前,国产光刻机还处于DUV阶段。而DUV光刻机也分三类,即KrF、ArF、ArFi。前两种已经突破,国产最高可做到90nm,可满足国内重要机构使用,不受国外限制。

那么,现在我们正在努力的就是ArFi光刻机, 多出的这个i代表加入了沉浸式技术。

这个技术相当了不得,这是ASML能够超过原来的光刻机巨头尼康和佳能的关键。当时光刻机最高做到193nm波长,也就是ArF光刻机,再往下突破就遇到了瓶颈。

尼康和佳能当时坚持继续原来的干式技术,而此时台积电专家林本坚提出了一种沉浸式技术,即通过水为介质实现更短波长,即湿式技术,但尼康和佳能根本没理会。

而当时还较弱的ASML却大胆采用了这技术,从此实现超越,获得了较大的市场。

因此,ArFi沉浸式光刻机是个关键节点。一旦能够实现突破,那么就等于迈进了DUV光刻机中的高端行列,尽管只是入门级别,但再往下更新迭代,就会非常容易了。

那么,目前国产沉浸式光刻机的研发进展如何呢?之前有消息表示,将于今年年底前交付。最近又有相关媒体爆料,国产沉浸式光刻机已实现突破,将会很快到来。

对此,有外媒表示,不是年底前吗,难道提前了?具体情况会不会真的如此呢?

首先,国产核心部件陆续突破

ArFi沉浸式光刻机最关键的就是这个沉浸式技术,ArF波长为193nm,加入沉浸式技术后就可以达到134 nm,波长越短光刻机就越先进,比如EUV波长是13.5 nm。

近日好消息传来,中企在浸液控制系统上取得了重大突破。浸液系统是浸没式光刻机的四大核心部件之一,这就解决了国产ArFi沉浸式光刻机的几大核心技术之一。

还有双工件台、曝光光学系统、投影物镜等也都已突破,目前应该是在合围磨合。

其次,ASML行动有相关征兆

对于国产先进光刻机的进展,恐怕ASML了解的更透彻,毕竟人家才是专业的。因此,从ASML的近期行动,我们可以看出征兆。对于国产光刻机,已改口不是不可能。

最近有个大的变化就是,今年第一季度,我们大陆成了ASML的第一大出货地,占比高达34%。这说明,ASML在有意向大陆加大光刻机出货量,这极有可能在倾销。

目的当然是为了打压国产的进步,应该是获悉了国产ArFi沉浸式光刻机即将突破。

再者,内部人士也有相关爆料

关于国产光刻机,我们一直在努力,甚至连EUV相关的技术也早就已布局。但大家不知道的是,今年以来在突破国产先进光刻机方面加大了力度,力争能够尽快突破。

近期有网友在网上曝光了一个聊天截图,谈话的内容就是关于国产先进光刻机的研发,表示已经下达了硬性任务,并且抽调了相关的很多机构研发人员,正在联合攻坚。

关于具体的进度并没有过多透露,不过意思表示,应该可以尽快取得重要进展。

从以上三点可以看出,国产沉浸式光刻机应该快了。一旦实现了这个关键节点的突破,接下来就能够做出更先进的DUV光刻机,这就解决了国产芯片制造绝大多数限制。

DUV高端光刻机如果能实现突破,接下来再突破EUV,应该也就更加的容易了。